全部產(chǎn)品
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當電流流過導(dǎo)體時，因?qū)w存在一定的電阻，所以導(dǎo)體將會發(fā)熱。且發(fā)熱量遵循著這個公式:Q=0.24I2RT;其中Q是發(fā)熱量，0.24是一個常數(shù)，I是流過導(dǎo)體的電流，R是導(dǎo)體的電阻，T是電流流過導(dǎo)體的時間;依此公式我們不難看出保險絲的簡單的工作原理了。當制作保險絲的材料及其形狀確定了，其電阻R就相對確定了(若不考慮它的電阻溫度系數(shù))。當電流流過它時，它就會發(fā)熱，隨著時間的增加其發(fā)熱量也在增加。電流與電阻的大小確定了產(chǎn)生熱量的速度，保險絲的構(gòu)造與其安裝的狀況確定了熱量耗散的速度，若產(chǎn)生熱量的速度小于熱量耗散的速度時，保險絲是不會熔斷的。
對IGBT進行檢測時，應(yīng)選用指針式萬用表。首先將萬用表撥到R×1KΩ檔，用萬用表測量各極之間的阻值，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則此極為柵極（G）。再用萬用表測量其余兩極之間的阻值，若測得阻值為無窮大，調(diào)換表筆后阻值較小，當測量阻值較小時，紅表筆接觸的為集電極（C），黑表筆接觸的為發(fā)射極（E）。判斷IGBT好壞時必須選用指針式萬用表（電子式萬用表內(nèi)部電池電壓太低），也可以使用9V電池代替。首先將萬用表撥到R×10KΩ檔（R×1KΩ檔時，內(nèi)部電壓過低，不足以使IGBT導(dǎo)通），用黑表筆接IGBT的集電極（C）,紅表筆接IGBT的發(fā)射極（E），此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時IGBT被觸發(fā)導(dǎo)通，萬用表的指針明顯擺動并指向阻值較小的方向并能維持在某一位置。然后再用手指同時觸及一下柵極（G）和發(fā)射極（E），這時IGBT被阻斷，萬用表的指針回零。在檢測中以上現(xiàn)象均符合，可以判定IGBT是好的，否則該IGBT存在問題。
在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸；在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊；盡量在底板良好接地的情況下操作。 在應(yīng)用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。
此外，在柵極—發(fā)射極間開路時，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。
在柵極—發(fā)射極間開路時，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。
在使用IGBT的場合，當柵極回路不正?；驏艠O回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。
在安裝或更換IGBT模塊時，應(yīng)十分重視IGBT模塊與模塊片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，最好在模塊器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般模塊片底部安裝有模塊風扇，當模塊風扇損壞中模塊片模塊不良時將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對模塊風扇應(yīng)定期進行檢查，一般在模塊片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。
MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢?
三極管ON狀態(tài)時工作于飽和區(qū)，導(dǎo)通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅(qū)動電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡單的僅 由Vce來決定，即不能采用飽和Rce來表示(因Rce會變化)。由于飽和狀態(tài)下Vce較小，所以三極管一般用飽和Vce表示。
MOS管在ON狀態(tài)時工作于線性區(qū)(相當于三極管的飽和區(qū))，與三極管相似，電流Ids由Vgs和Vds決定，但MOS管的驅(qū)動電壓Vgs一般可保持不變，因而Ids可僅受Vds影響，即在Vgs固定的情況下，導(dǎo)通阻抗Rds基本保持不變，所以MOS管采用Rds方式。
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