全部產(chǎn)品
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在制造三極管時，有意識地使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的，同時基區(qū)做得很薄，而且，要嚴格控制雜質(zhì)含量，這樣，一旦接通電源后，由于發(fā)射結(jié)正確，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子（電子）極基區(qū)的多數(shù)載流子（控穴）很容易地截越過發(fā)射結(jié)構(gòu)互相向反方各擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發(fā)射結(jié)的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發(fā)射極電流Ie。 三極管分很多種，按功率大小可分為大功率管和小功率管；按電路中的工作頻率可分為高頻管和低頻管；按半導體材料不同可分為硅管和鍺管；按結(jié)構(gòu)不同可分為NPN管和PNP管。無論是NPN型還是PNP型都分為三個區(qū)，分別稱為發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)，由三個區(qū)各引出一個電極，分別稱為發(fā)射極（E）、基極（B）和集電極（C），發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié)，集電區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)稱為集電結(jié)。其中發(fā)射極箭頭所示方向表示發(fā)射極電流的流向。
三極管的特性曲線是用來表示各個電極間電壓和電流之間的相互關(guān)系的，它反映出三極管的性能，是分析放大電路的重要依據(jù)。特性曲線可由實驗測得，也可在晶體管圖示儀上直觀地顯示出來。(1) 輸入特性也有一個“死區(qū)”。在“死區(qū)”內(nèi)，VBE雖已大于零，但IB幾乎仍為零。當VBE大于某一值后，IB才隨VBE增加而明顯增大。和二極管一樣，硅晶體管的死區(qū)電壓VT（或稱為門檻電壓）約為0.5V，發(fā)射結(jié)導通電壓VBE =（0.6~0.7）V；鍺晶體管的死區(qū)電壓VT約為0.2V，導通電壓約（0.2~0.3）V。若為PNP型晶體管，則發(fā)射結(jié)導通電壓VBE分別為(-0.6 ~ -0.7)V和(-0.2~ -0.3)V。
（2）一般情況下，當VCE >1V以后，輸入特性幾乎與VCE=1V時的特性重合，因為VCE >1V后，IB無明顯改變了。晶體管工作在放大狀態(tài)時，VCE總是大于1V的（集電結(jié)反偏），因此常用VCE≥1V的一條曲線來代表所有輸入特性曲線。
半導體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀初，就曾出現(xiàn)過點接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應用，是半導體材料開始受到重視。1947年鍺點接觸三極管制成，成為半導體的研究成果的重大突破。50年代末，薄膜生長激素的開發(fā)和集成電路的發(fā)明，是的微電子技術(shù)得到進一步發(fā)展。60年代，砷化鎵材料制成半導體激光器，固溶體半導體此阿里奧在紅外線方面的研究發(fā)展，半導體材料的應用得到擴展。1969年超晶格概念的提出和超晶格量子阱的研制成功，是的半導體器件的設(shè)計與制造從雜志工程發(fā)展到能帶工程，將半導體材料的研究和應用推向了一個新的領(lǐng)域。90年代以來隨著移動通信技術(shù)的飛速發(fā)展，砷化鎵和磷化煙等半導體材料成為焦點，用于制作高速高頻大功率激發(fā)光電子器件等；近些年，新型半導體材料的研究得到突破，以氮化鎵為代表的先進半導體材料開始體現(xiàn)出超強優(yōu)越性，被稱為IT產(chǎn)業(yè)的新發(fā)動機。
在孤立原子中的電子分別處在具有一定能量的電子軌道上。而在晶體中，原先在不同孤立原子中但具有相同能級的許多電子形成晶體時，由于量子效應，即 Pauli 原理的限制不能有兩個電子處于相同的狀態(tài)，它們的能量必定彼此錯開，各自處在一個能量略有差異的一組子能級上，形成能帶。根據(jù)電子的能量分布，在某些能量范圍內(nèi)是不許有電子存在的稱之為禁帶，即能帶之間的間隙。由價電子填充的能帶，稱之為價帶或滿帶。價帶以上的能帶基本上是空的，其中最低的允許電子存在的能帶稱為導帶。根據(jù)價帶與導帶的分布情況，可以獲得金屬、半導體和絕緣體。在一般情況下，半導體的導帶底有少量電子，價帶頂有少量空穴，半導體的導電就是依靠導帶底的少量電子或價帶頂?shù)纳倭靠昭ā?/span>
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