采用最優(yōu)化CSTBTTM硅片技術 有CIB、7單元、2單元和1單元四種拓撲結構 內部集成NTC測溫電阻 全系列共享同一封裝平臺 耐功率循環(huán)和熱循環(huán)能力強 具有競爭力的性價比 有條件接受客戶定制
適用于高壓變頻行業(yè)
采用CSTBTTM硅片技術 飽和壓降低、短路承受能力強、驅動功率小 比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15% 成本優(yōu)化的封裝 內置導熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小 模塊內部寄生電感小 功率循環(huán)能力顯著改善
采用低損耗CSTBTTM硅片技術 LPT結構用于1200V模塊，更加適合于并聯(lián)使用 額定電流定義比市場上同類產品高一個等級 外形尺寸與H系列IGBT完全兼容 內置導熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小 通過調整底板和基板間焊錫的厚度大大改善了溫度循環(huán)能力ΔTc 高功率循環(huán)能力
業(yè)務咨詢
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