產(chǎn)品型號 | 參數(shù)說明 | 下載 |
SEMIX604GB12T4S | 604A/1200V | /Attachment/20200611/19129717.pdf |
IGBT驅(qū)動電路中的電阻RG對工作性能有較大的影響,RG較大,有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率,但會增加IGBT的開關時間和開關損耗;RG較小,會引起電流上升率增大,使IGBT誤導通或損壞。RG的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關,一般在幾歐~幾十歐,小容量的IGBT其RG值較大。
驅(qū)動電路應具有較強的抗干擾能力及對IG2BT的保護功能。IGBT的控制、 驅(qū)動及保護電路等應與其高速開關特性相匹配,另外,在未采取適當?shù)姆漓o電措施情況下,G—E斷不能開路。
SKM450GB12T4SKMD150F12
SKN 45-08
SKT 1202-20E
SKT760-16E