全部產(chǎn)品
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- 其中P溝道增強型MOSFET--Q1是實現(xiàn)負載斷路的關(guān)鍵元件。當MAX668在關(guān)閉模式時,二極管D1仍然導通,使得MAX810L的電源端的電壓為3.3V減去二極管D1的管壓降。由于MAX810L的復位門檻電平為4.65V,因此其RESET端輸出為高電平,迫使Q1關(guān)斷,從而使負載與輸入電源斷開。MAX668通過外部反饋電阻網(wǎng)絡設定5V輸出電壓。當輸出電壓超MAX810L的復位門檻電平時,其內(nèi)部單穩(wěn)電路開始工作并延時約240ms。之后,MAX810L的輸出變低,使Q1導通。Q1導通之后,MAX810L一直監(jiān)測輸出電壓以確定輸出是否過流。過載將會導致輸出電壓下降,當它低于MAX810L門檻電平時,MAX810L的輸出經(jīng)過20μs的延遲后由高變低,從而關(guān)斷Q1并使負載斷開。
- 當外部負載或C2在啟動瞬間要汲取較大電流時,快速導通Q1可能使MAX810輸入電壓低于其復位門檻電壓從而導致復位出現(xiàn),因此在圖2基礎(chǔ)上再增加一RC網(wǎng)絡以減緩其開通過程,合適地選擇R、C可使負載連接過程延續(xù)到幾個MAX668開關(guān)工作周期,使MAX668的輸出電壓一直高于MAX810的復位門檻電壓。假如R、C使Q1的導通時間延長,同時也延長了關(guān)斷時間。因此需要在電阻上并聯(lián)一肖特基二極管,以加速當負載過載時關(guān)閉Q1的進程。為了獲得增強型通道及較低的導通電阻,上述電路均需要采用邏輯電平控制的P溝道MOSFET,如果Q1的導通電阻值較大且在其兩端產(chǎn)生較大的壓降(特別是低輸出電壓應用場合或負載離電源的距離較遠時),則應該從Q1漏極端反饋電壓調(diào)節(jié)輸出。
- 設計電路時,必須最小化寄生參數(shù)同時仔細考慮電路布局。利用一個SOT23封裝的低電壓模擬開關(guān)(MAX4544)可實現(xiàn)上述遠端調(diào)節(jié),該開關(guān)受控于MAX810L的輸出,根據(jù)MAX4544產(chǎn)品參數(shù),其最低工作電壓為2.7V。由于輸入電壓為3.3V,而肖特基的正向管壓降為0.3V,因此即使該升壓變換處于關(guān)閉模式,MAX4544(及MAX810)也處于工作狀態(tài)。此時,MAX810輸出高電平,MAX4544的公共端COM與其常開端NO(Q1的源極)相連。當MAX668使能時,與MAX4544公共端相連的電阻網(wǎng)絡為MAX668提供反饋電壓。由于5V電壓時MAX4544的導通電阻最大可達60Ω,因此為了得到最小輸出電壓誤差,反饋電阻的取值應該很大。
- 由于3V工作電壓時,MAX4544的導通電阻僅為120Ω,因此開關(guān)MAX4544引入的誤差電壓很小,即使低輸出電壓也是如此。當使能升壓變換器,且其輸出電壓超過MAX810的復位門檻電平并經(jīng)過復位延遲后,MAX810的輸出將由高變低,使Q1導通,連通負載。同時,MAX810輸出的低電平使MAX4544的COM端與NC端(常閉端)接通,使得反饋電阻由Q1的源極切換至Q1的漏極,從而允許從遠離變換器的負載端對輸出電壓進行調(diào)節(jié)。上述MAX4544的開關(guān)過程也把MAX810的輸入端從Q1的源極切換到Q1的漏極,這樣一來,MAX810可以用來監(jiān)測負載是否過載。